工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀
產(chǎn)品簡介
1、主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、絕緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器，并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結合在一起，特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。
2、橋體本身帶有5kV/100pF標準電容，測量材料介損更為方便。
3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
4、橋體采用了多樣化的介損測量
參數(shù)規(guī)格
1、測量范圍及誤差
在Cn＝100pF R4＝3183.2(Ω)(即10K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 40pF－－20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0～1 ±1.5％tgδx±1×10-4
在Cn＝100pF R4＝318.3(Ω)(即1K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 4pF－－2000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0～0.1 ±1.5％tgδx±1×10-4
Cx＝R4×Cn/R3
tgδ＝ωＲ４Ｃ４
高壓電源技術特性
電壓輸出：0～2500V/50Hz
高壓電流輸出：0～20mA
內(nèi)置標準電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10-5
固體絕緣材料測試電極
本電極適用于固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復合制品、陶瓷和 玻璃等的相對介電系數(shù)（ε）與介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）的測試。本電極主要用于頻率在工頻50Hz下測量試品的相對介電系數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）。本電極的設計主要是參照國標GB1409-2006。
本電極采用的是三電極式結構，能有效的消除表面漏電流的影響，使測量電極下的電場趨于均勻電場。
主要技術指標
儀器規(guī)格：47.5cm*35.5cm*41cm
高低壓電極之間距離：0～14mm可調(diào)
測量極直徑：￠38±0.1mm
高壓電極直徑：￠56±0.1mm
測量極與保護環(huán)間隙為1±0.05
空極tgδ：≤5×10-5
測試電壓：2kV
實驗頻率：50/60Hz
常溫或耐受溫度200℃(數(shù)字百分表不能加溫）
帶數(shù)字百分表測量范圍為0~12mm
制作技術指標依據(jù)GB/T1303.2－－-2009
注：原材料為不銹鋼與聚四氟乙烯，接口為與電橋配套用專用插座（帶專用插頭）。
產(chǎn)品優(yōu)勢
1、主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、絕緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器，并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結合在一起，特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。
2、橋體本身帶有5kV/100pF標準電容，測量材料介損更為方便。
3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
4、橋體采用了多樣化的介損測量
影響介電性能的因素
下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。
1）頻率
因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的ε和taδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導而產(chǎn)生，重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的。
2）溫度
損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個zhi大值，這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)zhi大值位置。
3）濕度
極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是必不可少的。
注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHZ以下及微波頻率范圍內(nèi)。
4）電場強度
存在界面極化時，自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加，其損耗指數(shù)zui大值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強度無關。
